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功率半导体器件应用及电源设计

讲师: 陈桥梁 时长:03:04:01

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难度

初级

课时

3

总积分

90

课程介绍

本讲座首先介绍几种常用功率半导体器件的基本原理及特性差异;其次详细阐述MOSFET的开关瞬态过程,分析影响MOSFET开关速度、损耗和EMI的关键因素,并对MOSFET的关键参数进行详细解读;然后结合实际案例分析在不同典型电路和应用领域中MOSFET的选型原则、失效机理及EMI整改方法;最后重点介绍几种主流电路仿真软件在电源设计中的应用。以上讲座内容将通过理论分析结合实际应用案例进行详细阐述。

讲师介绍

陈桥梁博士

2001年在西安交通大学获得电气工程学士学位,同年保送读研,并分别于2004年、2008年在西安交通大学获得电气工程学院电力电子硕士和博士学位。2009年在美国弗吉尼亚理工大学(Virginia Tech.)电力电子系统研究中心(CPES)进行访问学者研究。2007年至2008年,任台湾全汉(FSP)西安分公司总监,2009年至2011年,任博兰得(FSP-POWERLAND)电子科技西安分公司总监,2011年加入西安龙腾新能源科技发展有限公司,历任技术总监、副总经理。 陈桥梁博士在IEEE国际期刊和国际会议上发表论文15篇,拥有7项美国专利,35项中国专利。他是中国电源学会理事、专家委员会委员、新能源专业委员会理事、元器件专业委员会理事。获得2011年陕西省“青年科技新星”、入选2012年西安市“5211”人才计划,入选2014年陕西省“百人计划”特聘专家。

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