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熟练掌握高压MOSFET/IGBT栅极驱动设计

讲师: 张巍 时长:01:01:25

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难度

初级

课时

1

总积分

30

课程介绍

本篇培训材料在介绍最新的功率半导体栅极驱动的基本要求的基础上深入探讨了电路寄生参数对驱动的设计影响,对比了软开关和硬开关驱动的设计特点和区别,也深入探讨了CMTI及其PCB的优化设计指导。

讲师介绍

张巍

张巍于2015年加入TI,主要参与MOSFET,IGBT,以及SiC-MOSFET栅极驱动器的定义以及研发工作。张巍从事高频电力电子工作有超过十年的经验。

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