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  • 业界首颗专业的RGB LED驱动器LP50xx展示
    业界首颗专业的RGB LED驱动器LP50xx展示

    讲师:杜一江时长:04:30

    该课程介绍了业界首颗专门针对RGB LED 设计的驱动器LP50xx的特点和性能,并展示了该驱动器控制LED圆环的优异表现。

  • TI HVI系列培训
    TI HVI系列培训

    讲师:张巍林思聪 欧应阳 黄文彬 屈云生 傅力行 汪鋼耀 时长:05:37:27

    HVI为TI 美国本土每年一届的系统级电源设计研讨会。在这个研讨会中,TI的高级工程师们将和大家讨论常见的系统级电源设计中的各类问题,并介绍TI最新的创新电源解决方案。会议讨论的主题涵盖从PFC到隔离式栅极驱动器,包括宽带隙解决方案以及电动汽车(EV)等应用主题。 本系列培训收录了20多个HVI研讨会上的讨论主题,您可以观看并从您感兴趣的主题中学习各种系统级电源设计的解决方案。从功率因数校正(PFC)的基本原理到设计多功率电源系统,请选择您最喜欢的主题,并开始学习吧。

  • 如何驱动碳化硅MOSFET以优化高功率系统的性能和可靠性
    如何驱动碳化硅MOSFET以优化高功率系统的性能和可靠性

    讲师:汪鋼耀时长:24:38

    本课程概述了碳化硅(SiC)材料的特点以及基于SiC材料的MOSFET的卓越性能,描叙了一些SiC MOSFET的应用领域包括太阳能和电动汽车。 详细讨论了SiC MOSFET的驱动设计要求,以及简单介绍了几款TI SiC MOSFET驱动产品。

  • USB type C PD协议设计考量
    USB type C PD协议设计考量

    讲师:欧应阳时长:32:07

    本课程将会简单介绍USB Type C和PD协议的规范要求,重点介绍为了满足这些新的要求,AC/DC的电源应该采用什么样的系统架构。

  • 设计超高功率密度的小功率AC-DC电源
    设计超高功率密度的小功率AC-DC电源

    讲师:林思聪林思聪 时长:01:11:10

    高效高功率密度电源是市场的发展趋势,TI是市场第一个发布了有源嵌位反激变换器的控制IC方案UCC28780和UCC24612。本课程首先介绍有源嵌位反激变换器的工作原理,再介绍UCC28780和UCC24612的主要功能和特点;最后建议设计时须考虑的点。

  • GaN产品应用于可靠和高密度电源的设计
    GaN产品应用于可靠和高密度电源的设计

    讲师:傅力行时长:32:22

    本课程重点介绍了氮化镓(GaN)功率器件的概述, 以及深入地讨论了如何利用GaN产品进行可靠, 高密度GaN电路的设计, 特别针对99%效率的PFC以及1MHz的LLC电路设计。

  • 2018 PSDS研讨会
    2018 PSDS研讨会

    讲师:欧应阳冀玉丕 潘钢 时长:03:54:55

  • 采用热棒包装减少EMI和收缩解决方案尺寸
    采用热棒包装减少EMI和收缩解决方案尺寸

    讲师:Frank De Stasi时长:05:07

    采用翻转芯片引脚结构,36V,3A LMR33630和60V,1.5A LMR36015所采用的Hot Rod QFN封装不需要内部连接线,从而消除了会影响EMI性能的常见寄生源。 观看视频,了解Hot Rod和智能引脚如何协同工作,以提供出色的EMI性能。 但是,等等,还有更多--LMR33630 / LMR36015使用的Hot Rod封装尺寸仅为2mm x 3mm,只需极少的外部元件,可以同时改善EMI性能和缩小解决方案尺寸。

  • 利用DC / DC转换器在热性能和小尺寸解决方案之间进行权衡
    利用DC / DC转换器在热性能和小尺寸解决方案之间进行权衡

    讲师:Frank De StasiFrank De Stasi 时长:05:04

    随着输出电流水平持续上升,电源PCB面积继续缩小,追求更好的功率密度显示没有结束的迹象。 但是,尽管今天的小型封装散热问题已经得到改善,但仍然需要考虑折衷方案。 新型36V,3A LMR33630提供了极好的测试案例,因为它具有8引脚SOIC封装和小型2mm x 3mm热棒QFN。 在这次培训中,Frank比较了在相同操作条件下每个设备的热性能。

  • 熟练掌握高压MOSFET/IGBT栅极驱动设计
    熟练掌握高压MOSFET/IGBT栅极驱动设计

    讲师:张巍时长:01:01:25

    本篇培训材料在介绍最新的功率半导体栅极驱动的基本要求的基础上深入探讨了电路寄生参数对驱动的设计影响,对比了软开关和硬开关驱动的设计特点和区别,也深入探讨了CMTI及其PCB的优化设计指导。

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