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    • 熟练掌握高压MOSFET/IGBT栅极驱动设计

      讲师:张巍时长:01:01:25    共1节课

      MOSFET栅极驱动器

      本篇培训材料在介绍最新的功率半导体栅极驱动的基本要求的基础上深入探讨了电路寄生参数对驱动的设计影响,对比了软开关和硬开关驱动的设计特点和区别,也深入探讨了CMTI及其PCB的优化设计指导。

    • LLC控制:更快,更强,更好

      讲师:屈云生时长:42:15    共4节课

      LLCDC/DC电源管理

      讲解LLC为什么会这么流行的原因?如何让LLC设计的更快,更强,更好?内容包括对比LLC和其他拓扑的优缺点,LLC的关键特点和设计实例,以及如何使用HHC得到更快的动态响应并提高轻载效率的间歇模式。

    • 为你的临界模式PFC提供超强动力

      讲师:黄文彬时长:36:08    共5节课

      PFC电源管理

      本课程将介绍TI新开发的两款临界模式PFC控制芯片,简单介绍了PFC工作特点,CRM工作原理分析,以及UCC28056 CRM/DCM控制芯片和UCC28064 CRM控制芯片的特点和原理。

    • 设计超高功率密度的小功率AC-DC电源

      讲师:林思聪林思聪 时长:01:11:10    共1节课

      电源管理

      高效高功率密度电源是市场的发展趋势,TI是市场第一个发布了有源嵌位反激变换器的控制IC方案UCC28780和UCC24612。本课程首先介绍有源嵌位反激变换器的工作原理,再介绍UCC28780和UCC24612的主要功能和特点;最后建议设计时须考虑的点。

    • USB type C PD协议设计考量

      讲师:欧应阳时长:32:07    共1节课

      电源管理Type C

      本课程将会简单介绍USB Type C和PD协议的规范要求,重点介绍为了满足这些新的要求,AC/DC的电源应该采用什么样的系统架构。

    • 如何驱动碳化硅MOSFET以优化高功率系统的性能和可靠性

      讲师:汪鋼耀时长:24:38    共1节课

      MCUMOSFET门驱动器

      本课程概述了碳化硅(SiC)材料的特点以及基于SiC材料的MOSFET的卓越性能,描叙了一些SiC MOSFET的应用领域包括太阳能和电动汽车。 详细讨论了SiC MOSFET的驱动设计要求,以及简单介绍了几款TI SiC MOSFET驱动产品。

    • GaN产品应用于可靠和高密度电源的设计

      讲师:傅力行时长:32:22    共1节课

      电源电源管理GaN

      本课程重点介绍了氮化镓(GaN)功率器件的概述, 以及深入地讨论了如何利用GaN产品进行可靠, 高密度GaN电路的设计, 特别针对99%效率的PFC以及1MHz的LLC电路设计。

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