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  • TI HVI系列培训

    HVI 为 TI 每年一届的系统级电源设计研讨会。在这个研讨会中,TI的高级工程师们将和大家讨论常见的系统级电源设计中的各类问题,并介绍TI最新的创新电源解决方案。 会议讨论的主题涵盖从PFC到隔离式栅极驱动器,包括宽带隙解决方案以及电动汽车(EV)等应用主题。

    本系列培训收录了20多个 HVI 研讨会上的讨论主题,您可以观看并从您感兴趣的主题中学习各种系统级电源设计的解决方案。从功率因数校正(PFC)的基本原理到设计多功率电源系统,请选择您最喜欢的主题,并开始学习吧。
    相关参考信息:
    1. 电源管理组合概要
    2. 精选 TI 参考设计

    削减待机功耗和系统成本

    行业标准,如行为准则(CoC)二级和能源部(DOE)六级要求备用电源性能。在本演示中,我们将讨论交流-直流供电子系统中的功率损耗来源,它有助于提高备用功率,以及如何利用低功率模式不仅降低备用功率,而且在不牺牲系统性能的情况下降低系统成本。

    什么时候可以同步整流提高效率?

    同步整流通过用效率更高的场效应管代替整流二极管来提高电源效率。本演示将解释什么是同步校正,以及如何确定它是否适合您

    门驱动器设计-从基础到细节

    本次课程将介绍栅极驱动器的应用、低侧驱动器、高侧和低侧驱动器以及隔离式栅极驱动器。 另外还将通过深入探讨栅极驱动器的设计注意事项,包括寄生效应、硬软开关、 高 dv/dt 和 di/dt 以及隔离式驱动器注意事项,来介绍如何最大程度地提高栅极驱动器的性能。

    常见门驱动器问题及其解决方法

    最常见栅极驱动器缺陷及如何解决, 内容包括与驱动器偏置、自举电源以及生成高侧偏置所必需的组件选择相关的缺陷。讨论功能引脚开路的影响以及栅极驱动器电路中 dv/dt 噪声的影响。寄生效应,展示与糟糕的布局相关的问题及其纠正。本演示中提及器件型号包括带互锁的 620 伏半桥驱动器 UCC27712、带集成引导二极管的 120 伏半桥栅极驱动器UCC27211、3kVRMS 隔离式双通道栅极驱动器‬ UCC21220 以及5.7kVRMS 隔离式双通道栅极驱动器 UCC21520。这些拓扑与电机驱动器应用、开关模式电源以及光伏逆变器应用相关。

    高功率密度和高效率适配器的设计考虑

    讨论高功率密度、高效率适配器的设计注意事项。涉及驱动交流/直流适配器的基本要求并简单介绍有源钳位反激式拓扑和德州仪器 (TI) 的 UCC28780 控制器。还将涉及高功率密度适配器的一些重要设计注意事项。回顾基于 GaN 的 65 瓦 USB PD 适配器设计。

    解除有源钳反激回路补偿的神秘化

    本次演示的主题是揭开有源钳位反激式环路补偿的神秘面纱,本部分涵盖了针对 ACF 的转换模式和 CCM 模式进行的小信号属性分析

    用GaN设计可靠的高密度功率解决方案

    本次课程分为两个部分,将探讨如何利用 TI 的 GaN 功率级设计可靠的高密度电源解决方案。在第一部分,介绍 GaN 在电源性能方面的优势以及 TI 在 GaN 功率级中集成驱动器和保护功能的益处。在这个分成两个部分的讲解中,会说明GaN 相较于硅超结 MOSFET 的优势以及 TI 集成功率级相较于分立式 GaN 器件的优势。第二部分将展示一些电源示例。

    掌握高压门驱动器设计的艺术和基础

    探讨专为 UPS、电信和服务器等各种应用中的MOSFET、IGBT 和宽带隙器件(例如碳化硅和氮化镓)设计的高压栅极驱动器。介绍栅极驱动器应用并说明低侧驱动器、高侧和低侧驱动器以及隔离式栅极驱动器。深入探讨栅极驱动器的设计注意事项,包括寄生效应、硬软开关、高 dv/dt 和 di/dt 以及隔离式栅极驱动器注意事项,以介绍如何最大限度地提高栅极驱动器的性能。

    掌握隔离门驱动器的稳健性——CMTI的深入研究

    这个培训视频将讨论隔离式栅极驱动器的稳健性,重点介绍共模瞬态抗扰度 也就是 CMTI。 CMTI 用于处理两个独立接地基准(例如隔离式栅极驱动器)之间的差分电压。在本次培训中,我们会介绍 TI 的隔离器栅极驱动器系列,并深入讨论栅极驱动器隔离、CMTI 的定义、标准要求以及验证、测量和设计注意事项。

    深度掌握隔离驱动器瞬态共模噪音抑制及其特性

    瞬态共模噪音抑制(Common Mode Transient Immunity, CMTI)是隔离栅极驱动,半桥(高侧/低侧)栅极驱动非常关键的一个参数。瞬态共模噪音抑制是隔离栅极驱动器在有瞬态电压加在隔离驱动器两个参考地之间时, 包括瞬态上升沿和瞬态下降沿,隔离栅极驱动器仍然能够正常稳定工作的瞬态电压最高值。 本篇培训材料深入探讨CMTI的定义,标准要求,测试方法,以及设计要求以及注意事项。

    熟练掌握高压MOSFET/IGBT栅极驱动设计

    本篇培训材料在介绍最新的功率半导体栅极驱动的基本要求的基础上深入探讨了电路寄生参数对驱动的设计影响,对比了软开关和硬开关驱动的设计特点和区别,也深入探讨了CMTI及其PCB的优化设计指导。

    LLC控制:更快,更强,更好

    讲解LLC为什么会这么流行的原因?如何让LLC设计的更快,更强,更好?内容包括对比LLC和其他拓扑的优缺点,LLC的关键特点和设计实例,以及如何使用HHC得到更快的动态响应并提高轻载效率的间歇模式。

    设计超高功率密度的小功率AC-DC电源

    高效高功率密度电源是市场的发展趋势,TI是市场第一个发布了有源嵌位反激变换器的控制IC方案UCC28780和UCC24612。本课程首先介绍有源嵌位反激变换器的工作原理,再介绍UCC28780和UCC24612的主要功能和特点;最后建议设计时须考虑的点。

    USB type C PD协议设计考量

    本课程将会简单介绍USB Type C和PD协议的规范要求,重点介绍为了满足这些新的要求,AC/DC的电源应该采用什么样的系统架构。

    如何驱动碳化硅MOSFET以优化高功率系统的性能和可靠性

    本课程概述了碳化硅(SiC)材料的特点以及基于SiC材料的MOSFET的卓越性能,描叙了一些SiC MOSFET的应用领域包括太阳能和电动汽车。 详细讨论了SiC MOSFET的驱动设计要求,以及简单介绍了几款TI SiC MOSFET驱动产品。

    GaN产品应用于可靠和高密度电源的设计

    本课程重点介绍了氮化镓(GaN)功率器件的概述, 以及深入地讨论了如何利用GaN产品进行可靠, 高密度GaN电路的设计, 特别针对99%效率的PFC以及1MHz的LLC电路设计。

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