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TI HVI系列培训

HVI 为 TI 美国本土每年一届的系统级电源设计研讨会。在这个研讨会中,TI的高级工程师们将和大家讨论常见的系统级电源设计中的各类问题,并介绍TI最新的创新电源解决方案。 会议讨论的主题涵盖从PFC到隔离式栅极驱动器,包括宽带隙解决方案以及电动汽车(EV)等应用主题。

本系列培训收录了20多个 HVI 研讨会上的讨论主题,您可以观看并从您感兴趣的主题中学习各种系统级电源设计的解决方案。从功率因数校正(PFC)的基本原理到设计多功率电源系统,请选择您最喜欢的主题,并开始学习吧。

深度掌握隔离驱动器瞬态共模噪音抑制及其特性

瞬态共模噪音抑制(Common Mode Transient Immunity, CMTI)是隔离栅极驱动,半桥(高侧/低侧)栅极驱动非常关键的一个参数。瞬态共模噪音抑制是隔离栅极驱动器在有瞬态电压加在隔离驱动器两个参考地之间时, 包括瞬态上升沿和瞬态下降沿,隔离栅极驱动器仍然能够正常稳定工作的瞬态电压最高值。 本篇培训材料深入探讨CMTI的定义,标准要求,测试方法,以及设计要求以及注意事项。

熟练掌握高压MOSFET/IGBT栅极驱动设计

本篇培训材料在介绍最新的功率半导体栅极驱动的基本要求的基础上深入探讨了电路寄生参数对驱动的设计影响,对比了软开关和硬开关驱动的设计特点和区别,也深入探讨了CMTI及其PCB的优化设计指导。

LLC控制:更快,更强,更好

讲解LLC为什么会这么流行的原因?如何让LLC设计的更快,更强,更好?内容包括对比LLC和其他拓扑的优缺点,LLC的关键特点和设计实例,以及如何使用HHC得到更快的动态响应并提高轻载效率的间歇模式。

设计超高功率密度的小功率AC-DC电源

高效高功率密度电源是市场的发展趋势,TI是市场第一个发布了有源嵌位反激变换器的控制IC方案UCC28780和UCC24612。本课程首先介绍有源嵌位反激变换器的工作原理,再介绍UCC28780和UCC24612的主要功能和特点;最后建议设计时须考虑的点。

USB type C PD协议设计考量

本课程将会简单介绍USB Type C和PD协议的规范要求,重点介绍为了满足这些新的要求,AC/DC的电源应该采用什么样的系统架构。

如何驱动碳化硅MOSFET以优化高功率系统的性能和可靠性

本课程概述了碳化硅(SiC)材料的特点以及基于SiC材料的MOSFET的卓越性能,描叙了一些SiC MOSFET的应用领域包括太阳能和电动汽车。 详细讨论了SiC MOSFET的驱动设计要求,以及简单介绍了几款TI SiC MOSFET驱动产品。

GaN产品应用于可靠和高密度电源的设计

本课程重点介绍了氮化镓(GaN)功率器件的概述, 以及深入地讨论了如何利用GaN产品进行可靠, 高密度GaN电路的设计, 特别针对99%效率的PFC以及1MHz的LLC电路设计。

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